Diseñaré un amplificador de potencia RF profesional gan ldmos
Ingeniero senior de diseño en I+D
Acerca de este Servicio
SOBRE ESTE GIG
Ingeniero senior en amplificadores de potencia RF con más de 10 años entregando soluciones de PA de alto rendimiento para contratistas de defensa, desarrolladores de SDR, proveedores de telecomunicaciones y fabricantes de RF en todo el mundo.
Desarrollo completo de PA desde la arquitectura hasta la documentación de fabricación para radios militares, plataformas SDR, sistemas UAV, terminales satelitales y sistemas RF industriales.
Especializado en HF, VHF, UHF, banda L, banda S, banda C (hasta 8 GHz), de 0.1W a 100W. La experiencia incluye selección de transistores, redes de polarización, optimización de load-pull, redes de acoplamiento, mejora de linealidad, gestión térmica.
Trabajo con GaN HEMT, LDMOS, GaAs, dispositivos de silicio en arquitecturas Clase A/AB/B/C, D/E/F y Doherty.
Entregables:
Archivos ADS/HFSS, esquemas, archivos Gerber, parámetros S, gráficos de rendimiento (ganancia, PAE, IMD, ACPR), análisis térmico, BOM, documentación.
Aplicaciones:
Transmisores SDR, radios tácticas, enlaces ascendentes UAV, terminales satelitales, estaciones base, RF industrial.
Contacto antes de ordenar:
banda de frecuencia, potencia de salida, modulación, objetivos de linealidad/eficiencia, restricciones.
Disponible NDA. Confidencialidad estricta.
Palabras clave:
amplificador de potencia RF, diseño de PA, GaN, LDMOS, Doherty, Keysight ADS
FAQ
Traducción automática
Q1: ¿Qué información necesitas para comenzar el diseño del PA?
Necesito banda de frecuencia, potencia de salida, tipo de modulación, objetivos de linealidad/eficiencia, voltaje de alimentación, restricciones de tamaño y entorno de aplicación. Contáctame antes de ordenar para una consulta técnica gratuita y asegurar que el diseño cumpla con tus requisitos exactos.
Q2: ¿Proporcionas prototipos físicos o solo archivos de diseño?
Proporciono archivos de diseño completos y documentación de fabricación. Puedes fabricar el PA usando los esquemas, BOM y directrices de PCB que entrego. El paquete Advanced incluye soporte para fabricación y guía de ajuste para desarrollo de prototipos.
Q3: ¿Con qué tecnologías de transistores trabajas?
Diseño con GaN HEMT (alta densidad de potencia, amplio ancho de banda), LDMOS (robusto, rentable para banda estrecha), GaAs pHEMT/HBT (bajo ruido, alta frecuencia), y silicio BJT/MOSFET (bajo costo, frecuencias más bajas). Selecciono los dispositivos según requisitos de frecuencia, potencia, eficiencia y costo.
Q4: ¿Puedes diseñar amplificadores de potencia para aplicaciones militares o de defensa?
Sí. Tengo amplia experiencia con sistemas RF militares, radios tácticas, diseños robustos y aplicaciones de alta fiabilidad. Todos los proyectos de defensa se manejan con confidencialidad estricta, y puedo firmar NDAs según sea necesario.
Q5: ¿En qué clases de amplificadores te especializas?
Diseño clases A/AB para alta linealidad, B/C para eficiencia, D/E/F para modo conmutado de alta eficiencia, y arquitecturas Doherty para eficiencia en reducción de potencia. La elección depende de tu esquema de modulación, requisitos de linealidad y objetivos de eficiencia.
Q6: ¿Puedes optimizar tanto para eficiencia como para linealidad?
Sí. Para señales moduladas que requieren linealidad (OFDM, QAM), uso técnicas como Clase AB con seguimiento de envolvente, diseños compatibles con predistorsión digital, o arquitecturas Doherty que mantienen alta eficiencia en niveles de potencia de back-off cumpliendo con especificaciones de ACPR y EVM.
